Žymiausia 2D nanomedžiaga, grafenas, pasižymi milžiniškais elektronų ir skylių judriais, krūvininkų dauginimu, lankstumu, skaidrumu, cheminiu inertiškumu. Tai yra puiki Šokio kontakto medžiaga. Todėl grafeno ir silicio Šotkio kontakto (heterosandūros) infraraudonosios (IR) spinduliuotės fotojutikliai (fotodiodai) pasižymi itin dideliu jautrumu (per eilę didesniu nei geriausių metalo/Si Šotkio kontakto fotodiodų). Grafeno Šotkio kontaktai ant Si formuojami pernešimo būdu. Grafenas užauginamas ant Cu ar Ni folijos arba ekstrafoliuojamas. Toliau vykdomas ilgas grafeno pernešimo ant puslaidininkio ar dielektriko paviršiaus procesas. Tai komplikuota ir sudėtinga technologija, labai apsunkinanti grafeno/Si kontakto savybių kontrolę. Šiame tiriamajame darbe bus atlikti amorfinės anglies vertimo grafenu eksperimentai, amorfinės anglies ir nikelio dvisluoksnį pakeičiant amorfinės anglies ir nikelio nanokompozitu. Darbo tikslas yra amorfinės anglies ir nikelio nanokompozitų kaitinimo įtakos bandinių struktūrai tyrimas ir taikymas tiesioginei grafeno sintezei bei grafeno (anglies) ir silicio diodams formuoti.
Projekto rezultatai:
Skirtingos struktūros ir sudėties amorfinės anglies ir nikelio nanokompozitai bus užauginti magnetroninio dulkinimo būdu.
Siekiant tiesiogai ant puslaidininkinių pagrindų sintezuoti grafeną, Raman’o sklaidos spektroskopijos būdu bus ištirta kaitinimo įtaka anglies fazės struktūrai tyrimas.
Atrinkti bandiniai bus naudojami padaryti grafeno ir silicio (anglies ir silicio) diodus (heterosandūras). Bus ištirtos bandinių elektrinės bei fotoelektrinės savybės.
Projekto įgyvendinimo laikotarpis: 2018-10-31 - 2019-05-01
Projekto koordinatorius: Kauno technologijos universitetas
