Žymiausia 2D nanomedžiaga, grafenas, pasižymi milžiniškais elektronų ir skylių judriais, krūvininkų dauginimu, lankstumu, skaidrumu, cheminiu
inertiškumu. Tai yra puiki Šokio kontakto medžiaga. Todėl grafeno ir silicio Šotkio kontakto (heterosandūros) infraraudonosios (IR) spinduliuotės
fotojutikliai (fotodiodai) pasižymi itin dideliu jautrumu (per eilę didesniu nei geriausių metalo/Si Šotkio kontakto fotodiodų). Grafeno Šotkio
kontaktai ant Si formuojami pernešimo būdu. Grafenas užauginamas ant Cu ar Ni folijos arba ekstrafoliuojamas. Toliau vykdomas ilgas grafeno
pernešimo ant puslaidininkio ar dielektriko paviršiaus procesas. Tai komplikuota ir sudėtinga technologija, labai apsunkinanti grafeno/Si kontakto
savybių kontrolę.
Neseniai parodyta, kad grafeno sluoksnį galima tiesiogiai užauginti ant dielektrinių arba puslaidininkinių pagrindų. Tačiau kol kas šios technologijos
yra užuomazgoje.
Projekto finansavimas:
ES struktūrinių fondų projektas, finansuojamas Europos socialinio fondo lėšomis pagal 2014–2020 metų Europos Sąjungos fondų investicijų veiksmų programos priemonę Nr. 09.3.3-LMT-K-712 „Mokslininkų, kitų tyrėjų, studentų mokslinės kompetencijos ugdymas per praktinę mokslinę veiklą“.
Projekto rezultatai:
Šiame projekte bus tiriama tiesiogiai sintezuoto grafeno p tipo legiravimo, naudojant HNO3, įtaką grafeno struktūrai, varžai ir grafeno/Si(100)
diodo elektrinėms ir fotovoltinėms savybėms. Projekte tikslas yra tiesiogiai ant Si(100) sintezuoto grafeno cheminis legiravimas p tipo priemaišomis.
Projekto įgyvendinimo laikotarpis: 2020-11-03 - 2021-04-30
Projekto koordinatorius: Kauno technologijos universitetas
